| 型号： | DTB713ZMT2L | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Rohm Semiconductor | 描述： | TRANS DGTL PNP 30V 200MA VMT3 |
详细参数 |
数值 |
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| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| DTB713ZMT2L PDF |  |
| 产品目录绘图 | VMT-3 Package Top |
| 标准包装 | 8,000 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 200mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
| 电阻器 - 基极 (R1)（欧） | 1k |
| 电阻器 - 发射极 (R2)（欧） | 10k |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 140 @ 100mA，2V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 300mV @ 2.5mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 频率 - 转换 | 260MHz |
| 功率 - 最大 | 150mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 供应商设备封装 | VMT3 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 产品目录页面 | 1642 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | DTB713ZMT2LTR |